Observation of Resistive Switching Memory by Reducing Device Size in a New Cr/CrO_x/TiO_x/TiN Struct

来源 :纳微快报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yaer7201982

【摘要】

：

The resistive switching memory characteristics of 100 randomly measured devices were observed by reducing device size in a Cr/Cr Ox/Ti Ox/Ti N structure for the

【作者】

：

Debanjan Jana Subhranu Samanta

【机构】

：

ThinFilmNanoTech.Lab.

【出处】

：

纳微快报：英文版

【发表日期】

：

2015年4期

【基金项目】

：

supported by Ministry of Sci ence and Technology(MOST)Taiwan,under Contract no.NSC-1022221-E-182-057-MY2,grateful to EOL/ITRI Hsinchu,Taiwan for their experimental support

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The resistive switching memory characteristics of 100 randomly measured devices were observed by reducing device size in a Cr/Cr Ox/Ti Ox/Ti N structure for the first time.Transmission electron microscope image confirmed a viahole size of 0.4 lm.A 3-nm-th

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