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采取通用的陶瓷工艺，按配方（摩尔分数）TiO2＋0．3％（BaCO3＋Bi2O3）＋0．075％Ta2O5＋x％SiO2，其中x=0．1，0．2，0．3，0．4，0,5，制备试样。经过R-f，C-f和I-V测量，研究了SiO2对（Ba，Bi，Si，Ta）掺杂的TiO2基压敏陶瓷的压敏特性、电容特性及晶粒半导化的影响。结果表明：当x=0．3时，压敏电压最低（E10mA为8V·mm^-1），电容量最大（C为30pF，1kHz）及晶粒电阻最小（1．4Ω）。