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利用金属有机化学汽相沉积（MOCVD）法在硅衬底上生长具有AlN插入层的GaN外延膜，采用高分辨X射线衍射（HRXRD）和卢瑟福背散射／沟道（RBS／Channeling）技术研究分析其结构和应变性质。从RBS〈0001〉沟道谱可知，该外延膜具有良好的结晶品质，χmin=2．5％。利用不同方位角上XRD摇摆曲线测量，可得出GaN（0001）面与Si（111）面之间的夹角β=1．379°。通过对GaN（0002）和GaN（1015）衍射面的θ-2θ扫描，可以得出GaN外延膜在垂直方向和水平方向的平