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日本NTT公司研制成功了以单个电子存储信息的新型半导体存储器样品。该存储器的特点是：即使在室温下也可稳定地工作。此外，其功耗小，并且存储容量是曾研制的单电子存储器的5倍。NTT称，他们已完成了器件级的基础技术研究。这种新型器件是可望代替随机存储器DRAM和快擦写存储器的大有前途的新器件。NTT今后将进行其大容量集成的实用器件研制。