溅射工艺对BST薄膜取向行为的影响

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：socks2010

【摘要】

：

采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上沉积了Ba0．65Sr0．35TiO3薄膜。借助XRD、AFM和SEM研究了衬底温度、退火温度、溅射气压等不同的溅射参数对Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜的晶化行为和显

【作者】

：

李颂战杨艳芹王水兵刘文琮

【机构】

：

武汉科技学院电子信息工程学院

【出处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2007年6期

【关键词】

：

溅射工艺 BST薄膜晶化取向 BST thin films crystallization microstructure deposition parame

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采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上沉积了Ba0．65Sr0．35TiO3薄膜。借助XRD、AFM和SEM研究了衬底温度、退火温度、溅射气压等不同的溅射参数对Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜的晶化行为和显微结构的影响。在室温下沉积并未经退火处理的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜是无定形态，在较高温度下沉积的薄膜晶化相对较好；随着在氧气气氛中退火温度的升高，X射线衍射峰的半峰宽变窄，衍射峰强度增强；在0．37～1．2Pa气压下沉积的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜有（110）和（200）主衍

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