【摘 要】
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利用金属有机化学气相沉积(MOCVD),通过改变生长过程中成核层退火阶段的反应室压力,在蓝宝石衬底上制得了不同阻值的GaN外延薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和
【机 构】
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太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原理工大学新材料工程技术研究中心
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利用金属有机化学气相沉积(MOCVD),通过改变生长过程中成核层退火阶段的反应室压力,在蓝宝石衬底上制得了不同阻值的GaN外延薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对所生长的GaN薄膜的表面形貌、位错密度和位错形态进行了研究。结果表明,GaN的电阻率与位错形态之间存在密切联系,由此建立了模型来解释两者之间的关系。由于刃型位错附近存在负电荷,因此可为电子提供传导通道。在低阻GaN中,绝大多数位错发生弯曲和相互作用,在平行于基底方向上形成负电荷的导通通道,GaN薄膜的
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