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采用熔体法生长Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶时，不同的生长条件及热经历过程会导致生长态晶体材料中，占主导的点缺陷类型存在较大的差异，进而影响了晶体的物理性能及器件的使用。低温光致发光（PL）谱作为一种无损检测方法，可以用于研究不同条件下生长的Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶中的点缺陷和杂质的能级状态。对比富 Te 条件下生长的未掺杂 ZnTe 和 CdTe 晶体在8．6 K 下的 PL 谱可以发现，电阻率较低的 p 型ZnTe 晶体，其 PL 谱中，电子到中性受主复合发光峰（e，A0）强度高于施主-受主对复合发光峰（DAP），