【摘 要】
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GaN是一种理想的紫外发光和探测材料，其光学特性参数是光学器件设计的重要依据。采用紫外反射与透射光谱相结合的方法对国产GaN外延层进行光学特性测量，利用反射率与折射率之间
【机 构】
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重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆大学光电工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(60701013)、(60871012)资助项目
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GaN是一种理想的紫外发光和探测材料，其光学特性参数是光学器件设计的重要依据。采用紫外反射与透射光谱相结合的方法对国产GaN外延层进行光学特性测量，利用反射率与折射率之间的关系和薄膜干涉效应，建立了GaN外延层厚度、表面反射率、光谱吸收系数的光谱测量公式。测量结果表明，GaN外延层在紫外波段存在三个吸收区，其中364nm以下波段为强吸收区，吸收系数接近10^5cm^-1，364～375nm为吸收过渡区，375nm以上波段为弱吸收区；GaN表面反射率在三个吸收区的变化不大，为0．2～0．25之间。
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