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叙述了一咱快速评价GaAs微波功率场效应晶体管的方法－高温加速寿命试验，利用该方法对C波段GaAs功率场效应晶体管DX0011进行可靠性评估。在偏置VDS＝8V，IDS－375mA，沟道温度Tch=110℃下，10年的失效率λ≈27FIT。其主要失效模式是IDSS退化，激活能E－1．28eV。
C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术
【摘 要】
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叙述了一咱快速评价GaAs微波功率场效应晶体管的方法－高温加速寿命试验，利用该方法对C波段GaAs功率场效应晶体管DX0011进行可靠性评估。在偏置VDS＝8V，IDS－375mA，沟道温度Tch=110℃
【机 构】
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电子部第13研究所
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1995年1期
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