【摘 要】
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研究了以纯度为99.94﹪的Gd为原料配制的GdSiGeSn四元合金的磁热性能.磁性测量表明,该四元合金在260~300K温度区间内,出现了两个居里温度;合金的最大磁熵变为-15.2J·kgK(0~5T),并且具有较宽熵变峰值平台.通过合金的粉末衍射曲线对比分析表明,GdSiGeSn合金和GdSiGe合金具有相同结构.
【机 构】
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四川大学材料学院金属材料系(四川成都)
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研究了以纯度为99.94﹪的Gd为原料配制的Gd<,5>Si<,1.9>Ge<,2>Sn<,0.1>四元合金的磁热性能.磁性测量表明,该四元合金在260~300K温度区间内,出现了两个居里温度;合金的最大磁熵变为-15.2J·kg<-1>K<-1>(0~5T),并且具有较宽熵变峰值平台.通过合金的粉末衍射曲线对比分析表明,Gd<,5>Si<,1.9>Ge<,2>Sn<,0.1>合金和Gd<,5>Si<,2>Ge<,2>合金具有相同结构.
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