论文部分内容阅读
SIMOX／SOI样品在1000－1200℃的高温H2气氛中作不同时间（5－30分）的烘烤。结果，SOI结构受到了不同程度的损伤。测试结果表明，这种损伤包括：高温H2使SOI结构顶层Si中缺陷的扩展，高温H2使埋层SiO2分解和分解后的O2（或H2O）在外释过程中造成表层单晶Si的损伤。高温H2对SIMOX结构的这种损伤对SIMOX／SOI的外延是不利的。