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高分光比光纤零耦合器临界耦合特性的理论分析与实验论证

来源 :中国激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：linjianvhai

【摘 要】

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对光纤失配非对称耦合器中的模式耦合特性进行了理论和实验研究,给出了两光纤失配量的临界判据r2/r1=0.62～0.63,指出当失配度超过此下限后,因出现高阶模的耦合而降低分光比.合

【作 者】

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李佟 彭江得 刘小明 刘丹 

【机 构】

：

清华大学电子工程系

【出 处】

：

中国激光

【发表日期】

：

2001年8期

【关键词】

：

零耦合器 分光比 光纤包层 耦合特性 失配 高阶模 理论分析 非对称 基模 光纤器件 

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对光纤失配非对称耦合器中的模式耦合特性进行了理论和实验研究,给出了两光纤失配量的临界判据r2/r1=0.62～0.63,指出当失配度超过此下限后,因出现高阶模的耦合而降低分光比.合理控制失配量,研制出分光比为5×103～105,损耗为0.1～0.2 dB的光纤零耦合器.

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