ZnO及其缺陷的电子结构

来源 :中国科学(A辑) | 被引量 : 0次 | 上传用户：to_3000

【摘要】

：

利用全势线性Muffin_tin轨道 (FP_LMTO)理论方法 ,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的电子结构 .计算的结果表明 ,ZnO中的Zn3d电子对其成键起重要作用 .O2p与Zn3d的轨道杂化使价带变宽 ,带隙变小 .Zn空位和O填隙分别在价带顶 0 .3和 0 .4eV处产生浅受主能级 .而Zn填隙在导带底 0 .5eV处产生浅施主能级 .但O空位则在导带底 1 .3eV处产生深施主能级

【作者】

：

徐彭寿孙玉明施朝淑徐法强潘海斌

【机构】

：

中国科学技术大学国家同步辐射实验室!合肥230026,中国科学技术大学国家同步辐射实验室!合肥230026,中国科学技术大学物理系!合肥230026,中国科学技术大学国家同步辐射实验室!合肥23002

【出处】

：

中国科学(A辑)

【发表日期】

：

2001年04期

【关键词】

：

ZnO 缺陷电子结构

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