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采用显微压痕方法研究了Si、Ge、GaAs和InP四种半导体单晶的变形与断裂行为．通过测量[100]取向单晶体面内的显微硬度、裂纹开裂的临界压痕尺寸以及断裂韧性，分析了这四种材料力学性能的面内备向异性行为．结果表明：在压痕载荷的作用下，Si和Ge的塑性变形以剪切断层为主，而GaAs和InP则通过滑移系的开动协调变形．[100]取向的Si、Ge、GaAs和InP四种单晶的面内显微硬度、弹性模量和断裂韧性表现出不同程度的各向异性．裂纹长度与压痕尺寸间的关系表明，与GaAs和InP相比，Si、Ge具有较小的临界