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为了使红外热像仪能够准确测量微电子器件中微米级发热结构的温度,并克服由热胀冷缩引起的器件形变问题,提出了一种单温度发射率测量方法.分析了在用传统的双温度发射率测量方法对微电子器件进行红外检测时热胀冷缩对检测结果的影响.在温度变换过程中,器件的形交效应会严重影响温度测量结果.提出了一种针对微电子器件显微红外测试的单温度发射率测量方法.该方法只需将被测件保持在一个固定温度下即可对发射率进行测量.理论分析结果表明,该方法与双温度法在最终的测量结果上是等效的.单温度发射率测量方法可以有效避免微电子器件的形变影响,