【摘 要】
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为了探究电路中寄生电容对SiC MOSFET高速开关特性的影响,采用理论分析与实验研究相结合的方法,考虑相关寄生电容,对SiC MOSFET的开关过程进行模态分析,确立各部分寄生电容的
【机 构】
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南京航空航天大学自动化学院,上海电机学院电气学院
【基金项目】
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高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20123218120017);国家自然科学基金资助项目(51677089);江苏省研究生培养创新工程资助项目(SJLX16_0107);南京航空航天大学研究生创新基地(实验室)开放基金资助项目(kfjj20170308);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(NJ20160047,NS2015039)
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为了探究电路中寄生电容对SiC MOSFET高速开关特性的影响,采用理论分析与实验研究相结合的方法,考虑相关寄生电容,对SiC MOSFET的开关过程进行模态分析,确立各部分寄生电容的影响,进而建立高速双脉冲测试平台,对各部分寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响进行研究,揭示各部分寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响规律。实验结果表明:随着SiC MOSFET极间电容的增大,其开关速度降低、开关能量增大,开关过程中的电压、电流尖峰有所降低;与极间电容不同,C_J增大时会引起电流尖峰的增加。
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