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本文详细研究了SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋n沟 MOSFET的器件结构及导电机理,建立了明确的物理解析模型,给出了各种状态下器件工作电流的解析表达式。最后,将解析模型的计算结果与实验数据进行了比较和讨论。
SOI／SDB薄膜全耗尽隐埋n—MOSFET导电机理研究
【摘 要】
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本文详细研究了SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋n沟 MOSFET的器件结构及导电机理,建立了明确的物理解析模型,给出了各种状态下器件工作电流的解析表达式。最后,将解析模型的计算结果与
【机 构】
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东南大学微电子中心,东南大学微电子中心南京210018,南京210018,南京210018
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1992年5期
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