【摘 要】
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基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件重点实验室
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基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时基于量子机制建立了小尺寸单轴应变Si NMOSFET在γ射线辐照条件下的栅隧穿电流模型,应用Matlab对该模型进行了数值模拟仿真,探究了总剂量、器件几何结构参数、材料物理参数等对栅隧穿电流的影响.此外,通过实验进行对比,该模型仿真结果和总剂量辐照实验测试结果基本符合,从而验证了模型的可行性.本文所建模型为研究纳米级单轴应变
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