【机 构】
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KeyLaboratoryofPolarMaterialsandDevices,SchoolofPhysicsandElectronicScience,EastChinaNormalUniversit
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利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道，分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级，揭示了
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相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素，其中高浓度的中性缺陷簇[
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]能导致带隙明显窄化，而离子性缺陷簇[
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]是主要的深施主缺陷态，同时存在的大量带尾态引起带边相关的光致发光峰明显红移。贫铜富锌条件下，适当减少锡含量，可有效抑制与
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相关的缺陷簇，并避免带隙的窄化。
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