晶体管的一个重要物理参数△V_(BE)

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fa2009
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本文从测量多种小功率、大功率晶体管在规定条件下的△V_(BE),及其随加热功率P_(Hot)的变化规律,到详细讨论测试结果.如果在相同条件下测量不同器件的△V_(BE),可以迅速评价器件热阻的大小.通过测试△V_(BE),可以对晶体管制造工艺监控;100%测试产品的△V_(BE),可以对产品作高可靠筛选. This article from the measurement of a variety of low-power, high-power transistor under the conditions of △ V_ (BE), and its variation with heating power P_ (Hot) to discuss in detail the test results.If under the same conditions for measuring different devices △ V_ (BE), which can quickly evaluate the thermal resistance of the device. By testing ΔV_ (BE), the transistor manufacturing process can be monitored; ΔV_ (BE) of 100% of the tested products can be used to screen products with high reliability.
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