【摘 要】
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铟嫁锌氧化物(IGZO)以其迁移率高、均匀性好、对可见光透明、制备温度低和成本低等优点被认为是金属氧化物薄膜晶体管(Thin-Film Transistor(TFT))理想的有源材料,采用磁控溅
【机 构】
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湖南科技大学物理与电子科学学院,湖南工业大学理学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(项目编号11447212,11 204076,11247003);湖南省自然科学基金项目(项目编号2015JJ3060)资助
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铟嫁锌氧化物(IGZO)以其迁移率高、均匀性好、对可见光透明、制备温度低和成本低等优点被认为是金属氧化物薄膜晶体管(Thin-Film Transistor(TFT))理想的有源材料,采用磁控溅射法制备了基于Si O2绝缘层的IGZO-TFT器件。研究铟嫁锌氧化物有源层薄膜的前退火工艺(pre-annealing)和后退火工艺(post-annealing)对IGZO-TFT器件的电学性能的影响,其电学测试数据表明,相对于后退火工艺(post-annealing),前退火工艺处理的IGZO-TFT器件的展示了更高的场效应迁移率(3.5 cm2V-1s-1)和更好的开关比(107)。同时,十八烷基三氯硅烷(OTS)对改善Si O2绝缘层与铟嫁锌氧化物半导体有源层之间的界面接触效果显著。
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