非晶硅缓冲层在具有Al2O3门绝缘子的多晶SiGeTFT中的作用

来源 :现代显示 | 被引量 : 0次 | 上传用户：CT19850329

【摘要】

：

ＳｉＧｅ合金具有较高的载流子迁移率与较低的结晶温度，比Ｓｉ更适合用作薄膜晶体管（ＴＦＴ）。最近，我们已证实，利用Ａｌ２Ｏ３作多晶ＳｉＧｅＴＦＴ的门绝缘子，可使界面得到显著改善。虽然已经证明，由Ｓｉ缓冲层的高温氧化形成的ＳｉＯ２可

【作者】

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王文金中和

【机构】

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香港科技大学

【出处】

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现代显示

【发表日期】

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1999年4期

【关键词】

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缓冲层 Al2O3门绝缘子多晶SiGeTFT 薄膜晶体管 SiGeThin film transistorsBuffer layerAl2O3

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ＳｉＧｅ合金具有较高的载流子迁移率与较低的结晶温度，比Ｓｉ更适合用作薄膜晶体管（ＴＦＴ）。最近，我们已证实，利用Ａｌ２Ｏ３作多晶ＳｉＧｅＴＦＴ的门绝缘子，可使界面得到显著改善。虽然已经证明，由Ｓｉ缓冲层的高温氧化形成的ＳｉＯ２可改善界面质量，但是还不清楚在ＳｉＧｅ有源层与Ａｌ２Ｏ３门电介质之间插入一α－Ｓｉ缓冲层能否进一步提高界面的质量。在本研究中，对于有、无α－Ｓｉ缓冲层的多晶ＳｉＧｅＴＦＴ的性

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