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采用电化学方法在多孔硅中掺杂了稀土铈（Ce）元素。利用原子力显微镜表征了多孔硅和Ce掺杂多孔硅的表面形貌，采用荧光分光计对样品的光致发光（PL）特性进行了研究。多孔硅样品在480nm波长激发下PL谱上观察到两个发光峰，分别位于572和650nm；通过光致发光激发谱测量，得到位于572、650nm的发光峰对应的最佳激发波长分别为380和477nm。Ce掺杂多孔硅样品在480nm波长激发下，PL谱上只显示出多孔硅原有的发光增强；而在380nm波长激发下的PL谱上不仅显示多孔硅原有的发光增强，而且还出现了新的发