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研究了90nm工艺条件下的轻掺杂漏（lightly-doped drain，LDD）nMOSFET器件最大衬底电流应力特性．在比较分析了连续不同电应力后LDD nMOSFET的GIDL（gate-induced drain leakage）电流变化后，发现当器件的栅氧厚度接近1nm，沟长接近100nm时，最大衬底电流应力不是电子注入应力，也不是电子和空穴的共同注入应力，而是一种空穴注入应力，并采用空穴应力注入实验、负最大衬底电流应力实验验证了这一结论．