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利用等离子辅助化学气相沉积（PECVD）系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜，并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验，首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响。实验发现：经过30mA、85℃、24h条件老化后，未作钝化处理的Si衬底GaN基蓝光LED的平均光衰为11．41％，而长有SiN钝化膜的LED平均光衰为6．06％，SiN钝化膜有效地改善了LED在各种老化条件下的光衰，另外，SiN钝化膜缓解了Si衬底GaN基蓝光LED