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报道了采用多层布线的101.6 mm（4英寸）0.7μm InP HBT圆片工艺。器件工艺中台面均采用湿法腐蚀工艺,结合自对准光刻和BCB互联平坦化工艺,并集成了金属薄膜电阻和MIM电容。研制得到的0.7μm InP HBT器件电流增益截止频率（fT）为330 GHz,最大振荡频率(fmax)为300 GHz,可满足100 GHz以下各频段的混频、倍频、放大等微波集成电路以及20 GHz以下数模混合集成电路的设计需求。