Yb：GdYAl3（BO3）4晶体的生长及性质研究

来源 :压电与声光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhengwq1969

【摘要】

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采用助熔剂法生长了Yb:GdYAl3(BO3)4晶体.测量了晶体的室温吸收谱和荧光谱.该晶体在960 nm和974 nm处存在两个吸收带,适合InGaAs泵浦;在1 002 nm和1 044 nm处各存在一荧光谱

【作者】

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李静王继扬赵守任谭浩程绣凤宋峰赵洪阳

【机构】

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山东大学晶体材料国家重点实验室,南开大学物理学院光子学中心

【出处】

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压电与声光

【发表日期】

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2005年5期

【关键词】

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助熔剂法 Yb:GdYAl3(BO3)4 光谱性质热膨胀化学腐蚀 flux method Yb ： GdYAl3 （BO3）4 optical pr

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采用助熔剂法生长了Yb:GdYAl3(BO3)4晶体.测量了晶体的室温吸收谱和荧光谱.该晶体在960 nm和974 nm处存在两个吸收带,适合InGaAs泵浦;在1 002 nm和1 044 nm处各存在一荧光谱峰.研究了晶体的热学性质,平行于c轴方向的热膨胀系数约为a轴方向的5.4倍.采用化学腐蚀光学显微法研究晶体缺陷证明Yb:GdYAl3(BO3)4中存在孪晶结构.

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