高性能CeO2/片状CdS复合光电极材料的制备及在光阴极保护中应用

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hello_tyj

【摘要】

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通过逐步合成法制备了具有储存电子和物理阻隔功能的CeO2/CdS纳米复合材料,并用于光电阴极保护。通过XRD,TEM,UV-Vis和PL等手段对制备的纳米复合材料进行表征。在模拟白光照

【作者】

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魏科年刘展左士祥严向玉吴凤芹李霞章姚超刘孝恒

【机构】

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南京理工大学软化学与功能材料教育部重点实验室,常州大学石油化工学院

【出处】

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无机材料学报

【发表日期】

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2019年12期

【关键词】

：

CeO2/CdS复合材料异质结构物理阻隔光电化学阴极保护 CeO2/CdS composite heterostructure physical barr

【基金项目】

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Fundamental Research Funds for the Central Universities(30916014103),Key R&D Programs of Jiangsu Province(BE2018649),Innovation Team of Six Talent Peaks of Jiangsu Province(XCL-CXTD-029),Key R&

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通过逐步合成法制备了具有储存电子和物理阻隔功能的CeO2/CdS纳米复合材料,并用于光电阴极保护。通过XRD,TEM,UV-Vis和PL等手段对制备的纳米复合材料进行表征。在模拟白光照射下研究不同质量比的CeO2/CdS复合材料的光电化学性质。在黑暗条件下,涂有CeO2/CdS(质量比0.2:1.0)的304不锈钢涂层的电位比CeO2/CdS(质量比0.2:1.0)粒子涂层更正。在白光照射下,CeO2/CdS(质量比0.2:1.0)复合材料的最大光电流密度为700μA·cm–2,涂有CeO2/C

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