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用于n—p—nHBT的AlGaAs／GaAs多层MBE材料

来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qqllql

【摘 要】

：

本文报道了用MBE技术生长的n-p-n HBT用的优质AlGaAs/GaAs单层及多层结构。掺Sin型GaAs掺杂浓度为1.8×10¹⁴～1.2×10¹⁹cm^-3,纯度Ga

【作 者】

：

王建新 郑燕兰 

【机 构】

：

中国科学院上海冶金所上海200050

【出 处】

：

半导体情报

【发表日期】

：

1991年6期

【关键词】

：

分子束外延 砷化镓 双极晶体管 

【基金项目】

：

国家“七五”科技攻关项目,中国科学院重大项目资助

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本文报道了用MBE技术生长的n-p-n HBT用的优质AlGaAs/GaAs单层及多层结构。掺Sin型GaAs掺杂浓度为1.8×10¹⁴～1.2×10¹⁹cm^-3,纯度GaAs77K下,n=1.8×10¹⁴cm^-3,μ<sub>77<

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