BiSrCaCuO体系中的临界电流特性

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我们在低磁场下测量了 BiSrCaCuO 样品的临界电流和磁化曲线,发现 BiSrCaCuO 多相样品的临界电流比 YBaCuO 小一至二个数量级.从磁化曲线估计的晶粒区域的临界电流为10~3A/cm~2(77K),说明 BiSrCaCuO 体系中钉扎力相当小,有些样品的磁化曲线接近理想的第二类超导体.
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