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1引言近年来，随着三维叠层封装技术和MEMS封装技术的发展，硅垂直互连技术正在受到越来越多的重视【1】。这一技术通过在硅片上制作出垂直电互连来实现芯片正面与背面或上下芯片之间的互连，从而缩短了互连线的长度并为芯片提供更为优异的电性能。其应用包括：台面MOS功率器件的倒装芯片封装【2】、垂直集成传感器阵列的制造【3】、RF-MEMS器件的封装【4】、高性能硅基板的开发【5】和芯片的三维叠层封装【6】。