Low Voltage Active Pixel Sensor Based on PMOS Restoration Transistor

来源 :半导体光子学与技术:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wu511526198209172515
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介绍最佳被设计互补金属氧化物半导体活跃象素传感器。在这个传感器中,使用是作为恢复在传统的传感器中代替 NMOSFET 的 PMOSFET 晶体管。基于 0.25 m 互补金属氧化物半导体技术与在一样下面的传统的活跃象素传感器相比调节,模仿新结构设备更高举办的结果表演 signal-to-noise 比率,更宽的输出秋千,更宽的动态范围和更快的读出加速。
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