【摘 要】
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本文提出了一个新的短沟道MOSFET准二维分析模型。在整个沟道中计入二维效应后,导出了一个包括非饱和区和饱和区的统一方程,消除了通常的两区模型由于将沟道分区所引起的误差
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本文提出了一个新的短沟道MOSFET准二维分析模型。在整个沟道中计入二维效应后,导出了一个包括非饱和区和饱和区的统一方程,消除了通常的两区模型由于将沟道分区所引起的误差。计算同实测结果相吻合。
In this paper, a new quasi-two-dimensional analysis model of short-channel MOSFET is proposed. After taking into account the two-dimensional effect in the entire channel, a unified equation including both unsaturated and saturated regions is derived, eliminating the error caused by partitioning the channel in the usual two-region model. Calculated with the measured results are consistent.
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