单片Si—FED的结构和设计

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：rangdeqian

【摘要】

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根据场发射显示器(FED)的工作原理和所要求的电学参数,利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术,设计和试制了显示面积为10.8mm×l0.8mm的研究性器件.版图设计中采用了离

【作者】

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范忠李琼徐静芳茅东升

【机构】

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华东师范大学电子科学技术系,中科院上海冶金所离子束开放实验室

【出处】

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半导体技术

【发表日期】

：

2001年5期

【关键词】

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场发射显示器干法刻蚀离子注入硅 field emitter display dry etching ion implantation

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根据场发射显示器(FED)的工作原理和所要求的电学参数,利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术,设计和试制了显示面积为10.8mm×l0.8mm的研究性器件.版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻.工艺流程采用了全干法两步刻蚀和热氧化增尖形成理想硅微尖锥的方案.硅场发射冷阴极阵列(Si-FECA)是FED的核心.

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