铁磁形状记忆合金Ni-Mn-Ga薄膜制备工艺研究

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铁磁形状记忆合金(FSM A)是一种新型智能材料,N i-M n-G a合金是这种材料的典型代表。本文使用ECR磁控溅射方法在N aC l晶片上制备出了N i-M n-G a薄膜,并对其制备溅射功率进行了探讨。通过对薄膜成分和表面性质的分析,知22.5 W为其制备的最佳功率。对沉积在玻璃片上的薄膜进行衍射分析各其为有序化程度不高的晶态。 Ferromagnetic shape memory alloy (FSM A) is a new type of smart material, N i -M n-G a alloy is a typical representative of this material. In this paper, N i -M n-G a thin films were prepared on N aC l wafers by ECR magnetron sputtering. The sputtering power was also investigated. By analyzing the film composition and surface properties, we know that 22.5 W is the best power for the preparation. The films deposited on glass were analyzed by means of diffraction analysis, each of which was a less orderly crystalline state.
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