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提出了一种部分耗尽SOI MOSFETs器件翘曲效应的一个温度模型。详细地分析了漏电流在不同温度下的导通机制。总的电流由两部分组成：一部分是上MOS的电流，另一部分是由下部的寄生三极管电流。漏电流的突然增加来源于浮体区电势的增加。在本模型还分析了浮体电势、阈值电压与温度的变化关系。
部分耗尽SOI MOSFETs中翘曲效应的温度模型
【摘 要】
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提出了一种部分耗尽SOI MOSFETs器件翘曲效应的一个温度模型。详细地分析了漏电流在不同温度下的导通机制。总的电流由两部分组成：一部分是上MOS的电流，另一部分是由下部的寄生
【机 构】
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湘潭大学教育部低维材料及应用技术重点实验室
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2007年A02期
【基金项目】
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Project supported by Key Project of National Natural Science Foundation of China（50531060）, National Science Found forDistinguished Young Scholars of China（10525211）, National Natural Science Foundati
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