43GHz低功耗和低相噪VCO设计

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：abcd_11840

【摘要】

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基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个43GHz低功耗和低相噪压控振荡器（VCO）.通过去除尾电流管及改进偏置电路降低了VCO核的功耗和相噪,改进LC谐振回路设计抑制二次谐波噪声进一步改

【作者】

：

罗将何进吴欢成王豪常胜黄启俊熊永忠

【机构】

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武汉大学物理科学与技术学院,中国工程物理研究院太赫兹科学技术研究中心

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

2015年7期

【关键词】

：

CMOS 毫米波 VCO 低功耗低相噪 CMOS Millimeter wave VCO Low Power Dissipation Low Phase No

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基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个43GHz低功耗和低相噪压控振荡器（VCO）.通过去除尾电流管及改进偏置电路降低了VCO核的功耗和相噪,改进LC谐振回路设计抑制二次谐波噪声进一步改善了整个VCO的相噪.通过后仿真验证,在0～1.2V调谐电压作用下,所设计VCO的调谐范围为41.36～44.56GHz;在1.2V电源电压下整个VCO核的功耗仅为4.8 mW;在中心频率43GHz频偏1 MHz和10 MHz处的相位噪声分别为-97.5dBc/Hz和-119.5dBc/Hz;在外接50Ω负载的情况下,

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