a—SiTFTLCD象素电压跳变特性研究

来源 :光电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaxia28

【摘要】

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提出了α-Si TFT 栅源（源端与象素电极相连）电容不仅为栅源电极间交迭所产生的寄生电容 Cgsp,还应包括源端沟道与栅电极间的本征电容 Cgsi。并以缓变沟

【作者】

：

张盛东

【机构】

：

南京电子器件研究所210016

【出处】

：

光电子技术

【发表日期】

：

1993年2期

【关键词】

：

象素电压 TFT 非晶研液晶显示器 pixel voltage level shift intrinsic capacitance TFT

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提出了α-Si TFT 栅源（源端与象素电极相连）电容不仅为栅源电极间交迭所产生的寄生电容 Cgsp,还应包括源端沟道与栅电极间的本征电容 Cgsi。并以缓变沟道近似模型推导了 Cgsi的数学表达式。该式计算结果表明:TFT 开态下Cgsi为栅介质电容的一半。在此基础上求出了象素跳变电压ΔVp</

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