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采用ＰＥＣＶＤ法，反应温度为２５０℃，反应气体为ＮＨ３，ＳｉＨ４在抛光硅片上沉积０．２～０．４μｍ厚的氮化硅薄膜，对这种Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光学性能和电学性能进行了测试，其光学折射率为１．８７５，电阻率及击穿场强分别为８×１０＾１６Ω．ｃｍ及１×１０＾７Ｖ／ｃｍ，并用ＦＴＩＲ谱分析了薄膜的化学结构。