【摘 要】
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集成电路工艺发展到深亚微米阶段,器件的物理尺寸日益减小,芯片的可靠性设计面临的问题越来越复杂。为缩短研制周期,节约成本,应在电路设计时就考虑可靠性问题。ESD是CMOS电
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十七研究所
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集成电路工艺发展到深亚微米阶段,器件的物理尺寸日益减小,芯片的可靠性设计面临的问题越来越复杂。为缩短研制周期,节约成本,应在电路设计时就考虑可靠性问题。ESD是CMOS电路中最为常见的失效机理之一,严重的会造成电路自我烧毁。概述了集成电路的可靠性设计,介绍了CMOS集成电路ESD保护的必要性,分析了ESD的失效机理,研究了在CMOS电路中几类常见的ESD保护方法,分析了各种保护方式的原理和特点。
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