【摘 要】
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采用电泳法在Si基片上沉积碳纳米管（CNTs）薄膜。研究了电泳极间距、电泳时间及电泳电压等对沉积的薄膜形貌结构与场发射性能的影响。SEM、高倍光学显微镜和场发射性能测试结果
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采用电泳法在Si基片上沉积碳纳米管（CNTs）薄膜。研究了电泳极间距、电泳时间及电泳电压等对沉积的薄膜形貌结构与场发射性能的影响。SEM、高倍光学显微镜和场发射性能测试结果表明，保持阴阳极间距为2cm，在100V的直流电压下电泳2min所获得的CNTs薄膜均匀、连续、致密且具有最好的场发射性能，其开启电场强度仅为1．19V／μm，当外加电场强度为2．83V／μm时，所获得的最大发射电流密度可达14．23×10^-3A／cm^2。
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