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超高掺杂GaAs具有明显的禁带变窄（BGN）效应,因此采用超高掺杂基区的GaAs同质晶体管也可获得HBT的效果.故称之为赝HBT（p—HBT）。本文根据实验结果讨论了超高掺杂情况下GaAs的BGN效应及其对有效本征载流子浓度的影响,并对np+n型结构GaAs p—HBT的发射极注入效率和共发射极电流增益进行了理论分析。结果表明,当基区掺杂浓度高于1×1020/cm3时可以获得较好的器件特性。更多还原