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本论文采用新的合成方法-高压釜法,利用高纯单质Li（3N）、In（4N）、S（sublimed）为原料,在1120℃下合成了单相、致密的LiInS2多晶料,并对其做了XRD表征。对传统的Bridgman-Stockbarger生长技术进行了改进,实现了加速坩埚旋转下降技术（ACRT）,从而获得了较大尺寸的红外非线性光学晶体LiInS2,并对晶体的结构进行了表征。