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研究了中等能量（30 kev）Ar^＋注入多孔硅和中等能量（30kev）Ar^＋先注入单晶硅后再进行电化学腐蚀成的多孔结构的光致发光特性。研究结果表明：中等能量（30kev）Ar^＋注入多孔硅后，多孔硅原有的发光峰消失，主要是Ar^＋对多孔硅表面氧的剥离作用，使得与氧相关发光的结构消失，多孔硅不再发光；中等能量（30key）Ar^＋先注入单晶硅后再电化学腐蚀成的多孔结构中，通常多孔硅原有的580nm附近发光峰强度随注入Ar^＋剂量的增加而增强，并有红移；同时在谱峰处于470nm附近的微弱发光峰不因注入Ar