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研究了垂直腔面发射激光器（VCSEL）的侧向氧化工艺及其特性．发现对于条形台面，氧化物生长遵循线性生长规律．但对于在VCSEL中采用的两种结构，氧化物的生长（温度高于435℃）表现为非线性生长行为．理论分析表明，台面结构的几何形状对高温下的氧化速率产生了影响。
垂直腔面发射激光器中的侧向氧化
【摘 要】
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研究了垂直腔面发射激光器（VCSEL）的侧向氧化工艺及其特性．发现对于条形台面，氧化物生长遵循线性生长规律．但对于在VCSEL中采用的两种结构，氧化物的生长（温度高于435℃）表现为非线性
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年8期
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