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利用数字式恒定功率测试系统（ＤＣＰＳ）对多晶硅微电阻进行恒定直流功率负荷下电阻随时间变化特性的测量实验。用标准ＣＭＯＳ工艺和后续和腐蚀工艺制成悬浮结构多昌硅微电阻。测试结果表明，在恒定直流功率条件下工作的微电阻的稳定性由临界功率Ｐｃｒｉ值决定，当负荷于电阻上的恒定直流功率Ｐ≤Ｐｃｉｒ时，电阻值在负荷时间内保持常量；当Ｐ〉Ｐｃｉｒ时，电阻值随时间增加而增加。临界功率值决定于流过电阻的电流密度、电阻结