2. 您的位置
3. 首页
4. 期刊论文
5. 氧化后退火技术对SiO_2/4H-SiC界面态密度的影响

氧化后退火技术对SiO_2/4H-SiC界面态密度的影响

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：renbinf4

【作 者】

：

杨涛涛  韩军  林文魁  曾春红  张璇  孙玉华  张宝顺 

【出 处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2018年01期

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文 赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

澳大利亚课程开发的四个阶段

期刊

研究生校外实践平台信息管理系统研究与设计

学位

中小学运动会管理系统的研究与分析

学位

鄱阳县国库集中支付管理系统的研究与分析

学位

学生工作综合信息管理系统的设计与实现

学位

复杂背景下运动目标检测的算法研究与应用

学位

基于TR-069协议的家庭网关管理系统的构建

学位

重庆市边防总队勤务管理系统的设计与实现

学位

面向图像认知的fMRI数据的群组分析研究

学位

基于ASP.NET的高校工作量统计系统的实现

学位