论文部分内容阅读
采用自洽场离散变分Xa(SCC-DV-Xa)方法对纯V2O5及夹层V2O5的能带结构、态密度、键强度、电子集居数等进行了研究.结果表明,Li+引入V2O2层间的最佳位置是在双键氧之下(或之上),且靠近层的中心位置,此时它与周围原子间的作用力非常微弱,并且材料的导电性增强,使夹层复合材料Li+注入/脱出具有很好的可逆性和较好的光学性质.