HL—1M装置真空壁硅化的研究

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CDC(He+SiH4)是为HL-1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体作用下,通过气相中的电子碰撞离解,电离,离子-分子反应和在壁面上的He^+诱导脱H2过程,一种无定形的,半透明的,致密的氢化硅(α-Si:H)薄膜被沉积在清洁的真空壁表面。在托卡马克放电中,硅化壁的特点是有良好的H(D)捕获得,H2(D2)释放和低再循环性能,强的控制杂质能力和较长的寿命时间,结果显著地拓宽了等离子体密度ne,持续时间Tp和能量约束时间τE等的运行范围。自1996年以来,它成功地演证LHCD,ICRH,E
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