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为了更好地研究GaN材料生长过程，笔者对一种垂直喷淋式金属有机物化学气相淀积系统生长GaN材料过程中反应物的传递和反应过程进行了模拟．模拟结果表明，反应室压力和进入反应室的气流速度对GaN的生长速率和厚度均匀性均有影响．随着反应气体进入反应室的速度升高，反应室内预反应会增强，GaN生长速率升高，同时GaN厚度的不均匀性也会升高；在同样的进气速率下，反应室压强减小，可在一定范围内提高GaN生长速率，但同时增加衬底中央区域厚度，导致厚度不均匀增加．